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低泄漏电流和低器件电容

日期:2021/06/04  点击:171 次
 uln2003adrg3同类so-8封装器件额定电压下导通电阻仅低至 24毫欧,而vishay的 si7633dp 具有 3.3 m毫欧(10 v 下)及 5.5 毫欧(4.5 v下)的超低导通电阻。这些值比最接近的同类 30v 器件低 27%(10v下)和 28% (4.5v 下),比最接近的同类 25v so-8 器件分别低  28% 和 15%。30v si7135dp 的导通电阻为 3.9 毫欧(10v下) 和  6.2毫欧(4.5v 下),比最接近的同类器件分别低13%和19.5% 。这次推出的两款 mosfet均采用 powerpak so-8 封装,可容许比其他 so-8 封装器件高 60% 的最大漏电流和高 75% 的最大功率损耗。

新型器件可用作适配器切换开关,用于笔记本电脑及工业/通用系统中的负载切换应用。适配器切换开关(在适配器/墙壁电源和电池电源间切换)一直处于导通状态,消耗电流。si7633dp 和si7135dp的低导通电阻能耗低,节省电力并延长两次充电间的电池可用时间。

vishay还推出了采用 so-8 封装的 si4459ady 30-v p-通道 trenchfet 功率 mosfet。该器件具有 5 毫欧(在 10 v 时)和 7.75毫欧(在4.5 v 时)的导通电阻。此次推出的所有器件 100% 通过 rg 和 uis 认证,且不含卤素。

 

esd保护二极管产品系列,新产品的尺寸比上一代缩小67%,能够承受最严格的iec61000-4-2标准的 esd测试脉冲,低钳位电压特性有助于提高对调制解调器等低压芯片的保护性能。

esdalcxx- 1u2系列产品采用节省空间的st0201封装,占板面积为0.18mm2。在手机、gps接收器和mp3播放器等便携产品中,电路板需要提供空间安装必要的保护器件,意法半导体的esdalcxx-1u2系列微型电路保护器件大幅度降低对电路板空间的需求。除了让设计工程师在节省出的空间内实现额外功能外,这些小型化的二极管还能简化电路板布局。由于0.3 x 0.6 mm的尺寸匹配工业标准的0201微型贴装无源器件外廓,电路板设计人员可以从现有的cad组件库中快速选择最佳的焊盘布局。

esd 保护器件通常放置在易遭受esd冲击的电源线或信号线上,这些线路连接芯片外部连接器或开关。充电器端口、键盘和手机侧按键都有可能是易受静电冲击的线路。当出现esd脉冲时,这款二极管可以把电涌分流接地,把峰压降到芯片能够安全承受的水平,以防止脉冲能量冲击芯片。保护二极管本身也必须能够承受外部施加的电涌。

意法半导体利用先进的技术使新系列产品兼有尺寸小与抗电涌能力优异的特性。新系列产品包括 esdalc3v9-1u2、esdalc6v1-1u2和esdalc14v2-1u2三款产品。这三款产品的击穿电压分别为 3.9v、6.1v和14.2v,设计人员可以从中选择钳位电压最佳的产品保护芯片。三款新产品均可承受iec61000-4-2 4级标准的脉冲峰压的多次冲击,该标准规定接触放电脉冲和电涌分别为8kv和30a。esdalcxx-1u2的其它优点包括低泄漏电流和低器件电容,低泄漏电流可以使电池耗电量达到最小化,6pf或12pf的电容可最大限度降低对信号速度的影响。