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双频无线连接半导体场效应晶体管的20倍

日期:2021/06/03  点击:170 次
 氮化镓(gan)等宽禁带(wbg)材料逐渐彰显其作为新一代功率半导体骨干材料的潜力。这类材料功耗更低,性能却优于那些已趋成熟的硅器件。消费类充电器、数据中心、5g和电动汽车等应用代表着功率器件主要的增长市场,它们对器件有着相同的需求:更小的尺寸、更大的功率、更低的损耗。

化合物半导体材料氮化镓可满足所有这些需求,这将是其在未来几年得以重用的关键所在。与硅相比,氮化镓有着更出色的开关性能,开关过程中损失的热量更少,在较高的温度下能更稳定地工作,使工程师能够制造更紧凑、更快速、更可靠的器件,同时减少对器件制冷的要求。

智能手机需要更大的功率、更快的速度,来运行更多的应用程序。手机的电池续航几乎无法维持一天。此外,标准的5瓦充电器充电速度较慢。智能手机生产商开始意识到消费者对快速充电的需求,并准备推出新一代的大功率充电器,提供高达65瓦的功率,能大幅缩短充电时间。使用基于氮化镓的高电子迁移率晶体管(hemt)可将充电器的尺寸缩小一半,同时将功率提高到3倍,运行速度是硅基超结金属氧化物半导体场效应晶体管(sjmosret)的20倍。

 

nor flash具有芯片内执行(xip)和高可靠性等特点,但寿命相对较短,其在1~16mb的小容量应用方面具有很高的成本效益,在功能机时代,凭借nor+psram架构称霸一时,nor flash用来存储代码和数据,psram 作为mcu和dsp执行运算时的数据缓存。

nor flash主要分为串行和并行两种,串行nor flash的特点是接口简单、轻薄、功耗和系统总体成本更低,虽然读取速度不及并行的,但已成为市场和应用的首选。而与nand相比,nor的成本较高,容量小,且写入速度慢,传统上,主要用于功能手机、电视、机顶盒、usb key等小容量代码存储。

市场规模方面,nand约占42%,而nor只有3%;制程方面,nor对先进节点的要求不高,一般采用55nm和65nm;虽然nor的擦除和写入速度相对较慢,但其读取速度非常快,这也是它能够在应用中安身立命的核心价值所在。

 

 

cm4基于广受赞誉的raspberry pi 4 b 型单板计算机,其新型外形尺寸设计可在更小的空间内容纳两个 hdmi端口、一个pcie 和一个千兆以太网等更多接口。两个100针高密度连接器可接入处理器接口和gpio引脚。cm4还提供多个emmc闪存和dram密度选项以及可选双频无线连接,可实现最大的灵活性。其“lite”版变体型号未配置emmc,是成本敏感型应用的理想解决方案。

cm4的主要性能和连接功能包括:

处理器:采用运行频率为1.5ghz的arm cortex-a72 64位四核博通bcm2711处理器,可提供行业领先的性能和能效。

内存:不同型号提供从 1gb到8gb lpddr4-3200 sdram内存以及最大32gbemmc 闪存选项。

多媒体:硬件编解码支持,包括h.265(最高 4kp60解码)和h.264(最高1080p60解码和1080p30编码)。

连接:可选经完全认证的无线模块,支持双频ieee 802.11 b/g/n/ac无线网络和bluetooth 5.0;配有板载电子开关,可在外接天线或pcb天线之间进行选择。