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单/双单元锂离子芯片大小的功率MOSFET的导通电阻

日期:2021/06/03  点击:141 次
 五种n沟trenchfet功率mosfet器件,目标应用是单/双单元锂离子和锂聚合物电池盒和电路。

器件包括有两个芯片大小的功率mosfet,每占位面积有低的导通电阻。对于尽可能低的低导通电阻应用,siliconix公司提供了微小型的si8900edb,4.5v栅驱动时导通电阻只有24 m欧姆,二平均占位面积为8.07 mm2.

对于微小型si8902edb,4.5v栅驱动时导通电阻只有45 m欧姆,而平均占位面积为3.68 mm2,以用于更小的设计。

这些双向20v微占位器件,其尺寸为0.62mm,适合手提设备紧凑的pcb。微占位器件取决于焊接工艺,siliconix公司开发的专有的焊接方法,功率mosfet芯片就不需要外层包装。两种产品si8900edb 和si8902edb的esd保护达4000v。

制造商:triad magnetics产品种类:电源变压器发货限制:mouser目前不销售该产品。rohs:否功率额定值:1.1 va安装风格:through hole一次绕组:dual primary winding二次绕组:dual secondary winding系列:fs端接类型:solder pin商标:triad magnetics产品类型:power transformers工厂包装数量:84子类别:transformers单位重量:90.718 g

标准包装:1,000类别:硬件,紧固件,配件家庭:垫圈系列:fw类型:扁平螺纹/螺丝/孔尺寸:m3.5直径 - 内部:0.142"(3.60mm)直径 - 外部:0.374"(9.50mm)厚度:0.031"(0.79mm)1/32"镀层:-材料:尼龙

 

通过1线接口,ds2761令主系统存入状态和控制寄存器,仪器寄存器和通用数据存储。每个器件有63位地址,允许由主系统单独地存址,支持多电池操作。

双向电流测量和累加是由片内的25m欧姆传感电阻或外接器件来实现。ds2761也有可编程的i/o引脚,使主系统能传感和控制电池盒内其它电子,包括开关,振动监视器,扬声器和led。

ds2761上提供eeprom,可锁定eeprom和sram,用作电池信息存储。eeprom以真正的非易失性的存储器的方式保存电池数据,它受电池严重耗尽,突然短路或esd事件的影响。